反応性イオンエッチング装置

反応性イオンエッチング装置

仕様  (株)ニチメン電子工研 マイクロ波プラズマソース RSA-200 (排気系、ガス導入系は自作)

Si及びSiO2薄膜の反応性イオンエッチング、レジスト膜のアッシイング。
使用ガス:SF6, CH4, CHF3, O2, N2
プラズマ生成:ECR方式、マイクロ波出力1kW
プラズマ生成領域:200mmφ
高周波バイアス電源:400kHz, 300W
バックグラウンド真空度:5×10-7Torr
サンプルホルダ冷却機構

設置場所:SVBLクリーンルーム1

管理者:伊藤和男 itohk@el.gunma-u.ac.jp

分類
A. 材料作成、微細加工
更新日
2005/01/21