高周波スパッタリング装置I

高周波スパッタリング装置I

仕様:日本真空技術株式会社製 MB96-1011

・2インチ系ターゲット3個からの、3種類の構成成分からなる多層膜の作製が可能である。Fe, Co, Cr, Nb, SiO2, グラファイトなど。公転機構付きの基板上に、回転を制御しながらの任意時間のスパッタリング堆積が可能。

設置場所:SVBLクリーンルーム1

管理者:櫻井浩 sakuraih@el.gunma-u.ac.jp

分類
A. 材料作成、微細加工
更新日
2005/01/21