分子線エピタキシー装置

分子線エピタキシー装置

仕様  日本真空技術株式会社製 MB96-1010

・薄膜作成チャンバー:成膜チャンバー、基板搬送準備室の2室構成。薄膜作製のため電子ビーム蒸発源2基、クヌーセンセル2基が設置されており、1800℃まで昇温できる。金属あるいは半導体の薄膜作製が可能。

・評価装置:RHEED装置、X線蛍光分析装置(RHEED-TRAX:薄膜中の極微量元素分析や超格子膜における元素別の構造解析が可能)、四重極質量分析装置(質量1から99まで分析可能)。

設置場所:SVBLクリーンルーム1

管理者:櫻井浩 sakuraih@el.gunma-u.ac.jp

分類
A. 材料作成、微細加工
更新日
2005/01/21