高周波スパッタリング装置II

仕様  日本電子株式会社製 JEC-SP360R

本装置は3インチ径ターゲット3個からなるロータリーターゲット形スパッタ装置であり、多層膜の作製も可能である。基板加熱は最高600℃まで可能であり、また基板清浄用の逆スパッタ機構を有している。現在のところガス導入系はアルゴンと酸素の2系統からなっており、これらの混合雰囲気中での薄膜の作製も可能である。

設置場所:SVBL実験室1

管理者:

分類
A. 材料作成、微細加工
更新日
2005/01/21